Étude des défauts bidimensionnels à base d'hélium dans le silicium - Application au transfert de films minces
Le procédé Smart CutTM, utilisé pour le transfert de films minces sur substrat est basé sur la fissuration du silicium. La propagation des fissures est initiée à partir de défauts bidimensionnels induits par implantation d'hydrogène, les « H-platelets ». Des études précédentes ont montré que la...
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| Language: | en |
| Published: |
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2014POIT2277/document |