Deep electrical characterization and modeling of parasitic effects and degradation mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates

Deep electrical characterization and modeling of parasitic effects and degradation mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates

Les travaux de these s’inscrivent dans le cadre de deux projets: ReAGaN et ExtremeGaN avec des industriels (UMS, Serma Technologies, Thales TRT) et des laboratoires derecherche (LEPMI, LAAS et l’université de Bristol).Les deux technologies GaN (GH50 et GH25) étudiées dans cette thèse sont fournies p...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Rzin, Mehdi
Other Authors: Bordeaux
Language:en
Published: 2015
Subjects:
HEMT
GaN
Mécanismes de dégradation
Effects parasites
Caractérisation électrique.
Degradation mechanisms
Parasitic effects
Electrical characterization
Online Access:http://www.theses.fr/2015BORD0125/document

Internet

http://www.theses.fr/2015BORD0125/document

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