Estimation et modélisation de paramètres clés des capteurs d’images CMOS à photodiode pincée pour applications à haute résolution temporelle

Estimation et modélisation de paramètres clés des capteurs d’images CMOS à photodiode pincée pour applications à haute résolution temporelle

Poussée par une forte demande et un marché très compétitif, la technologie PPD CIS est en évolution permanente. Du fait de leurs très bonnes performances en terme de bruit, les capteurs d’image CMOS à base de Photodiode Pincée (PPD CIS) peuvent désormais atteindre une sensibilité de l’ordre de quelq...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Pelamatti, Alice
Other Authors: Toulouse, ISAE
Language:en
Published: 2015
Subjects:
Photodiode pincée
Capteurs d’image CMOS
Transfert de charge
Tension de pincement
Full Well Capacity
Haute résolution temporelle
Pixel à grille de stockage pulsée
Pinned Photodiode
CMOS Image Sensors
Transfer time
Pinning voltage
High temporal resolution
Pulse storage gate pixel
621.382 2
Online Access:http://www.theses.fr/2015ESAE0025/document

Internet

http://www.theses.fr/2015ESAE0025/document

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