Mémoires résistives non volatiles à base de jonctions métal-oxyde complexe
Les mémoires vives à changement de résistance (ReRAM de l'anglais Resistive Random Access Memories) attirent fortement l'attention car elles sont considérées comme unes des plus prometteuses pour la prochaine génération de composants. Ceci est du à leurs basse consommation de puissance, le...
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| Language: | es |
| Published: |
2015
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2015GREAI031/document |