Caractérisation électrique et modélisation du transport dans matériaux et dispositifs SOI avancés

Caractérisation électrique et modélisation du transport dans matériaux et dispositifs SOI avancés

Cette thèse est consacrée à la caractérisation et la modélisation du transport électronique dans des matériaux et dispositifs SOI avancés pour la microélectronique. Tous les matériaux innovants étudiés(ex: SOI fortement dopé, plaques obtenues par collage etc.) et les dispositifs SOI sont des solutio...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Liu, Fanyu
Other Authors: Grenoble Alpes
Language:en
Published: 2015
Subjects:
Silicium sur isolant
Pseudo MOSFET
SOI fortement dopé
Collage métallique des plaques
Effet bipolaire parasite
Effet tunnel bande à bande
Grille arrière
Gain bipolaire
Effets de couplage
SOI FinFET
SOI FinFET sans jonctions
Silicon on insulator
Heavily doped SOI
Metal bonded wafers
Parasitic bipolar effect
Band to band tunneling
Back gate
Bipolar gain
Coupling effect
Inversion mode SOI FinFETs
Junctionless SOI FinFETs
620
Online Access:http://www.theses.fr/2015GREAT034/document

Internet

http://www.theses.fr/2015GREAT034/document

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