Etude à l'échelle nanométrique par sonde locale de la fiabilité et de la dégradation de films minces d'oxyde pour applications MOS et MIM

Etude à l'échelle nanométrique par sonde locale de la fiabilité et de la dégradation de films minces d'oxyde pour applications MOS et MIM

L'intégration de diélectriques High-k dans les empilements de grille des dispositifs MOS a fait naître de nouvelles interrogations concernant la fiabilité des futurs nœuds technologiques. La miniaturisation constante des dispositifs conduisant à l'amincissement des épaisseurs d'oxyde...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Foissac, Romain
Other Authors: Grenoble Alpes
Language:fr
Published: 2015
Subjects:
Fiabilité
Microscopie à force atomique en mode conduction
TDDB
Métaloxyde semi conducteur
Oxyde bicouche
Filament
Résistance différentielle négative
Caractérisation électrique
Microélectronique
Nanoélectronique
Ultravide
Pulse
ESD
MIM
Mémoires résistives
Reliability
Atomic force microscopy in conductive mode
Métal oxyde semi conductor
Bilayer oxide stack
Negative differential resistance
Electrical caracterisation
Microelectronics
Nanoelectronics
Ultra high vacuum
Oxide resistive memories
620
Online Access:http://www.theses.fr/2015GREAT047/document

Internet

http://www.theses.fr/2015GREAT047/document

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