Puits quantiques de composés nitrures InGaN/GaN pour le photovaoltaique
Ce travail traite de la croissance épitaxiale et de la caractérisation d’hétérostructures àbase de multi-puits quantiques (MPQ) pour des applications dans le photovoltaïque. Leséchantillons ont été obtenus par la technique d’épitaxie en phase vapeur aux organométalliques(EPVOM) sur des substrats de...
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| Language: | en |
| Published: |
2015
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2015GRENY008/document |