Ferromagnetic/antiferromagnetic exchange bias nanostructures for ultimate spintronic devices

Ferromagnetic/antiferromagnetic exchange bias nanostructures for ultimate spintronic devices

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Les applications d’électronique de spin telles les mémoires à accès aléatoire (MRAM), les capteurs (e.g.les têtes de lecture des disques durs d’ordinateurs) et les éléments de logique magnétique utilisent les interactionsd’échange ferromagnétique/antiferromagnétique (F/AF) dans le but de définir une...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Akmaldinov, Kamil
Other Authors: Grenoble
Language:en
Published: 2015
Subjects:
Materiaux antiferromagnétiques
Anisotropie magnétique d’échange
Verre de spin
Température de blocage
Distribution bimodale
Nanostructures
Mémoires magnétiques à accès aléatoire thermiquement assistées
Antiferromagnetic materials
Exchange bias
Spin-glass
Blocking temperature
Bimodal distribution
Thermally assisted magnetic random access devices
530
Online Access:http://www.theses.fr/2015GRENY009/document

Internet

http://www.theses.fr/2015GRENY009/document

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