Ingénierie de jonctions tunnel pour améliorer les performances du transistor mono-électronique métallique

Ingénierie de jonctions tunnel pour améliorer les performances du transistor mono-électronique métallique

Aujourd’hui plusieurs obstacles technologiques et limitations physiques s’opposent à la poursuite de la miniaturisation de la technologie CMOS : courants de fuite, effet de canal court, effet de porteurs chauds et fiabilité des oxydes de grille. Le transistor à un électron (SET) fait partie des comp...

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Bibliographic Details
Main Author: Hajjam, Khalil El
Other Authors: Lyon, INSA
Language:fr
Published: 2015
Subjects:
Electronique
Transistor mono-Électroniques - SET
Dépôt par couches minces
Couches minces diélectriques high-K
Couches minces diélectriques low-K
Oxudation
Transistor à un électron
Composés de titane
Ingénierie de la jonction tunnel
Intégration BEOL
Electronics
Atomic layer deposition
High-K dielectric thin films
Low-K dielectric films
Double gate single electron transistors
Titanium compounds
Tunnel junction engineering
BEOL integration
621.381 520 72
Online Access:http://www.theses.fr/2015ISAL0111/document

Internet

http://www.theses.fr/2015ISAL0111/document

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