Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs
Ces travaux de recherche se rapportent à l’évaluation des potentialités des transistors à base de graphène ainsi que la mise en évidence des effets dispersifs sur les transistors HEMTs en technologie Nitrure de Gallium. Les principaux résultats issus de ces travaux sont obtenus suite au développemen...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2015
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2015LIMO0028/document |