Précipitation et contrainte dans le silicium implanté par hydrogène
Dans les instants qui suivent l'implantation d'ions hydrogène dans du silicium monocristallin à température ambiante, des défauts complexes se forment et une contrainte en compression apparaît dans les plans parallèles à la surface du wafer. L'évolution thermique de ce système au cour...
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| Language: | fr |
| Published: |
2015
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2015TOU30097/document |