Suivi de la formation d’un film de type polyphosphazène sur InP dans l’ammoniac liquide (- 55°C) : Couplage électrochimie / XPS
Le phosphure d’indium (InP) est un semiconducteur III-V aux propriétés adaptées aux applications optoélectroniques. Toutefois, son oxydation spontanée à l’air engendre une dégradation de ses propriétés électriques. La passivation de sa surface devient donc une étape clé pour son intégration dans des...
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| Language: | fr |
| Published: |
2015
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2015VERS006V/document |