Développement de procédés d'épitaxie basse température pour les technologies CMOS FD-SOI avancées
Ce travail de thèse s’inscrit dans la technologie de fabrication de transistors à canal mince (Si ou SiGe) totalement déserté sur isolant (Fully-Depleted Silicon-on-Insulator ou FDSOI) qui constitue une option prometteuse pour les nœuds 14nm et au-delà. Les problèmes liés à cette nouvelle technologi...
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| Language: | fr |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2016AIXM4082/document |