Structural analyses by advanced X-ray scattering on GaP layers epitaxially grown on silicon for integrated photonic applications
Cette thèse porte sur le développement des méthodes d'analyse structurale de la couche mince de GaP epitaxiées sur le substrat de silicium par l'épitaxie par jets moléculaires (MBE), basées sur la diffraction des rayons X (ORX) et combinées à des techniques complémentaires telles que la mi...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2016ISAR0013/document |