Développement et caractérisation de modules Technologiques sur semiconducteur GaN : application à la réalisation de cathodes froides et de transistor HEMT AlGaN/GAN

Développement et caractérisation de modules Technologiques sur semiconducteur GaN : application à la réalisation de cathodes froides et de transistor HEMT AlGaN/GAN

Les travaux présentés dans ce manuscrit sont axés sur le développement et la caractérisation de modules technologiques sur semiconducteurs à large bande interdite à base de nitrure de gallium (GaN), pour la réalisation de transistors et de cathodes froides. Ils ont été réalisés au sein du laboratoi...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Malela-Massamba, Ephrem
Other Authors: Lyon
Language:fr
Published: 2016
Subjects:
Modules microélectroniques
Electroniques de puissance
Hyperfréquences
High electron mobility transistors (HEMTs)
SiN-gate AlGaN/GaN HEMT
Metal-Oxide-Semiconductor High electron mobility transistors (MOS-HEMTs)
Cathodes froides GaN
Diode
Microelectronics systems
Power Electronics
High frequencies
GaN cold Cathodes
621.31
Online Access:http://www.theses.fr/2016LYSE1078

Internet

http://www.theses.fr/2016LYSE1078

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