The advanced developments of the Smart Cut™ technology : fabrication of silicon thin wafers & silicon-on-something hetero-structures
La thèse porte sur l’étude de la cinétique de Smart Cut™ dans du silicium après implantation hydrogène, pour des températures de recuit comprises entre 500°C et 1300°C. Ainsi, la cinétique de séparation de couches (splitting) est caractérisée en considérant des recuits dans un four à moufle ainsi qu...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016LYSEI033/document |