Interfacial skew tunneling in group III-V and group IV semiconductors driven by exchange and spin-orbit interactions; Study in the frame of an extended k.p theory
Nous avons étudié par des méthodes numériques et en théorie k.p avancée les propriétés tunnel d’électrons et de trous dans des systèmes modèles et hétérostructures composés de semi-conducteurs impliquant des interactions spin-orbite de volume. Nous démontrons que le couplage entre les interactions s...
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Language: | en |
Published: |
2016
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Online Access: | http://www.theses.fr/2016SACLX089/document |