Probing the impact of structural defects on spin dependent tunneling using photons
L’étude de l’impact des défauts sur les propriétés électriques des semi-conducteurs a joué un rôle crucial dans la révolution des technologies de l’information dans le milieu du 20ème siècle. Jusqu’ici, la course à la miniaturisation a permis de répondre à la demande croissante en termes de puissanc...
| Main Author: | |
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| Language: | en |
| Published: |
2016
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016STRAE018/document |