Etude de la réalisation d'une structure transistor (FET) pour l'observation de l'exciton du ZnO sous champ électrique.
Ce manuscrit porte sur la conception d’un transistor à effet de champ destiné à l’observation de la photoluminescence de l’exciton et des complexes excitoniques chargés du ZnO sous l’influence d’un champ électrique. Pour cela, des simulations ont permis de définir un cahier des charges de la structu...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | fr en |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2016SUPL0009/document |