From atomic level investigations to membrane architecture : an in-depth study of the innovative 3C-SiC/Si/3C-SiC/Si heterostructure
Le polytype cubique du carbure de silicium (3C-SiC) est un matériau très prometteur pour les applications MEMS. En plus de sa tenue mécanique et chimique, il peut être épitaxié sur des substrats Si de faible coût. De plus, l'hétéroépitaxie multiple, c’est-à-dire quand on empile plusieurs couche...
| Main Author: | |
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| Language: | en |
| Published: |
2016
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016TOUR4023/document |