Electrical characterization of fully depleted SOI devices based on C-V measurements
Les technologies de films minces sur isolant apparaissent comme des solutions fiables pour la nano électronique. Elles permettent de dépasser les limites des technologies sur substrat silicium massif, en autorisant de faibles tensions d’utilisation et un gain en énergie significatif. En effet, les t...
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| Language: | fr |
| Published: |
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2017GREAT001/document |