Développement d'un procédé de structuration 3D pour le silicium
Ce travail porte sur le développement d’une technique de structuration de surface pour le silicium. Celle-ci repose sur trois étapes essentielles : la lithographie, l’implantation ionique et le retrait par voie humide. Le motif formé par lithographie est transféré par homothétie dans la couche sous-...
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| Language: | fr |
| Published: |
2017
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2017GREAT088/document |