Atomistic simulations of H2 and He plasmas modification of thin-films materials for advanced etch processes
Ce travail de thèse aborde l’un des défis technologiques liés au développement de nouvelles générations de transistors (FinFET, FDSOI), pour lesquels la gravure de couches ultraminces révèle plusieurs problèmes. En particulier, la gravure des espaceurs nitrure (SiN) doit être réalisée avec une préci...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2017GREAT101/document |