Modélisation physique des procédés de fabrication des jonctions FDSOI pour le nœud 10 nm et en-deçà
La fabrication de jonctions implique de nombreux défis technologiques à mesure que les dispositifs se rétrécissent. Afin de mitiger les problèmes liés à la diminution agressive des dimensions des transistors, des substrats SOI ainsi que du silicium-germanium (SiGe) contraint ont été introduits dans...
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| Language: | en |
| Published: |
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2017GREAY034/document |