Low temperature epitaxy of Si, Ge, and Sn based alloys

Low temperature epitaxy of Si, Ge, and Sn based alloys

Les matériaux (Si)GeSn sont très prometteurs pour les composants optiques sur puce fonctionnant dans le Moyen Infra-Rouge (MIR). Lors de cette thèse de doctorat, j’ai étudié le Dépôt Chimique en Phase Vapeur d’alliages GeSn. L’épitaxie basse température de Ge pur, de Ge dopé phosphore et d’alliages...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Aubin, Joris
Other Authors: Grenoble Alpes
Language:en
Published: 2017
Subjects:
Epitaxie
Alliages GeSn
Dépôt Chimique Phase Vapeur à Pression Réduite
Laser GeSn
Ge Pur
Ge dopé P
Epitaxy
GeSn Alloys
Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition
GeSn laser
Pure Ge
P-Doped Ge
530
Online Access:http://www.theses.fr/2017GREAY058/document

Internet

http://www.theses.fr/2017GREAY058/document

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