Etude de la commutation résistive d'oxydes binaires (HfO2, TiO2) élaborés par dépôt par jets moléculaires et intégrés dans des dispositifs de type memristifs métal-oxyde-métal : effets du dopage et de l'implantation
A l’ère du « big data » et de l’intelligence artificielle, les recherches pour trouver de nouvelles façons de stocker et traiter l’information se multiplient. Dans le domaine des mémoires non volatiles, cette émulation a conduit à l’émergence de nouveaux composants, dont les OxRAM (oxide-based resis...
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| Language: | fr |
| Published: |
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2017LYSEC023 |