Pre and post breakdwon modeling of high-k dielectrics regarding antifuse and OxRAM non-volatile memories

Pre and post breakdwon modeling of high-k dielectrics regarding antifuse and OxRAM non-volatile memories

Les mémoires non volatiles intégrées représentent une part importante du marché des semi-conducteurs. Bien qu'il s'adresse à de nombreuses applications différentes, ce type de mémoire fait face à des problèmes pour poursuivre la réduction continue de la résolution des technologies CMOS. En...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Benoist, Antoine
Other Authors: Lyon
Language:en
Published: 2017
Subjects:
Electronique de puissance
Haute tension
TDDB - time-Dependent dielectric breakdown
OxRAM - oxide-Based resistive memory
Haute permittivité
Post-Claquage
CMOS avancé
Distribution de courant
Power Electronics
High Voltage
Time-Dependent dielectric breakdown (TDDB)
Post breakdown
Advanced CMOS
Read Current Yield
621.317 072
Online Access:http://www.theses.fr/2017LYSEI007

Internet

http://www.theses.fr/2017LYSEI007

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