Pre and post breakdwon modeling of high-k dielectrics regarding antifuse and OxRAM non-volatile memories
Les mémoires non volatiles intégrées représentent une part importante du marché des semi-conducteurs. Bien qu'il s'adresse à de nombreuses applications différentes, ce type de mémoire fait face à des problèmes pour poursuivre la réduction continue de la résolution des technologies CMOS. En...
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Language: | en |
Published: |
2017
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Online Access: | http://www.theses.fr/2017LYSEI007 |