Comparative Study of FinFET and FDSOI Nanometric Technologies Based on Manufacturing Defect Testability
Deux innovations en matière de procédés technologiques des semi-conducteurs sont des alternatives à la technologie traditionnelle des transistors MOS (« Metal-Oxide-Semiconductor ») « Bulk » planaires : d’une part le silicium totalement déserté sur isolant (FDSOI – « Fully Depleted Silicon on Insula...
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| Language: | en |
| Published: |
2017
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2017MONTS084/document |