Etude de l'influence de stress électriques et d'irradiations neutroniques sur des HEMTs de la filière GaN
Les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistors) de la filière GaN sont destinés à des applications dans les domaines militaire et spatial. C’est pourquoi nous avons étudié l’influence de trois types de stress électriques : à canal ouvert, à canal pincé et NGB (Negative Gate Bias), ainsi q...
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| Language: | fr |
| Published: |
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2017NORM2001/document |