Etude de l'influence de stress électriques et d'irradiations neutroniques sur des HEMTs de la filière GaN

Les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistors) de la filière GaN sont destinés à des applications dans les domaines militaire et spatial. C’est pourquoi nous avons étudié l’influence de trois types de stress électriques : à canal ouvert, à canal pincé et NGB (Negative Gate Bias), ainsi q...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Petitdidier, Sébastien
Other Authors: Normandie
Language:fr
Published: 2017
Subjects:
GaN
Online Access:http://www.theses.fr/2017NORMC201/document