Investigation of ternary ΑlΙnΝ and quaternary ΑlGaΙnΝ alloys for high electron mobility transistors by transmission electron microscopy

Les semi-conducteurs III-V à base d’azote et leurs alliages possèdent des propriétés remarquables et sont largement étudiés depuis les années 90. En comparaison à d'autres semi-conducteurs III-V, Les alliages de type ; AlGaN, InGaN et AlInN, ont leurs bandes interdites, directes, du lointain ul...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Ben ammar, Hichem
Other Authors: Normandie
Language:en
Published: 2017
Subjects:
TEM
AFM
APT
Online Access:http://www.theses.fr/2017NORMC241/document