Analyse de défaillance dans les transistors de puissance grand gap par électroluminescence spectrale

Analyse de défaillance dans les transistors de puissance grand gap par électroluminescence spectrale

La microscopie à émission de photons spectrale (SPEM) est une technique non destructive utilisée comme outil de localisation des défauts et comme indicateur des mécanismes de défaillance. Cette thèse présente un nouveau système de SPEM développé pour étudier la fiabilité des dispositifs de puissance...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Moultif, Niemat
Other Authors: Normandie
Language:fr
Published: 2017
Subjects:
Analyse de défaillance
Electroluminescence
Photoémission spectrale
Réseau de diffraction
MOSFETs SiC
HEMTs AlGAN/GaN
HTRB
ESD
RF-HTOL
Caractérisations électriques
Analyses micro-structurales
Failure analysis
Spectral Photoemission
Diffraction grating
SiC MOSFETs
AlGAN/GaN HEMTs
Electrical characterizations
Micro-structural analysis
537.62
Online Access:http://www.theses.fr/2017NORMR052/document

Internet

http://www.theses.fr/2017NORMR052/document

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