Contribution à l'analyse des mécanismes de défaillance lors de décharges électrostatiques et de radiations aux ions lourds de composants MESFET en carbure de silicium

La gestion de l'énergie électrique est au cœur des enjeux environnementaux. L'éclosion de semi-conducteurs à grand gap comme le carbure de silicium (SiC) permet la réalisation de composants aux performances supérieures à celles des composants en silicium pour l'électronique de puissan...

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Bibliographic Details
Main Author: Phulpin, Tanguy
Other Authors: Toulouse 3
Language:fr
Published: 2017
Subjects:
ESD
Online Access:http://www.theses.fr/2017TOU30049/document