Enjeux de siliciuration pour des technologies avancées de la microélectronique : étude de l'interaction entre les siliciures de NiPt et le phosphore
Dans le but d’intégrer des technologies CMOS avec des cellules mémoires, une seule étape de siliciuration de tous les contacts permettrait de diminuer les couts et de faciliter l’intégration. La formation de siliciure simultanément au niveau des sources, drains et grilles avec du NiPt(10 at.%) est n...
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| Language: | en |
| Published: |
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018AIXM0469/document |