Investigation into trapping mechanisms and impact on performances and reliability of GaN HEMTs through physical simulation and electro-optical characterization
Le Nitrure de Gallium est devenu un matériau incontournable pour le développement de dispositifs semi-conducteurs aux performances très supérieures aux composants silicium. L'immense potentiel du dispositif HEMT AlGaN / GaN provient du gaz d'électrons à haute densité et à forte mobilité fo...
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| Language: | en |
| Published: |
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018BORD0401/document |