Contribution à l'étude expérimentale des résistances d'accès dans les transistors de dimensions deca-nanométrique des technologies CMOS FD-SOI
La réduction des dimensions des transistors à effet de champ MOS a depuis quelques années ralenti à cause de l'émergence de facteurs parasites tels que la résistance d'accès. En effet, la miniaturisation du canal s'est accompagnée par une diminution de sa résistance tandis que celle d...
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| Language: | fr |
| Published: |
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018GREAT039/document |