Super-réseaux GeTe/Sb2Te3 pour les mémoires iPCM : croissance PVD par épitaxie van der Waals et étude de leur structure
Afin de faire face à la demande croissante de mémoires de plus en plus performantes dans les systèmes informatiques, de nouvelles technologies se sont développées. Parmi elles, les mémoires résistives à changement de phase (ou PCM pour Phase-Change Memory) ont des propriétés et une maturité suffisan...
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Language: | fr |
Published: |
2018
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Online Access: | http://www.theses.fr/2018GREAT109/document |