Corrélation luminescence/défauts étendus dans les structures à puits quantique InGaAs épitaxiées sélectivement sur substrats Si
Les semi-conducteurs III-V présentent des propriétés remarquables de mobilité électronique et d’émission optique. La croissance de ces matériaux par MOCVD sur substrat silicium (001) en 300 mm offre l’opportunité de réaliser les composants bas coût, et d’apporter de nouvelles fonctionnalités à la mi...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018GREAY082/document |