Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS

Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS

La gestion, la manipulation et le stockage de données sont aujourd’hui de réels challenges. Pour supporter cette réalité, le besoin de technologies mémoires plus efficaces, moins énergivores, moins coûteuses à fabriquer et plus denses que les technologies actuelles s’intensifie. Parmi les technologi...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Labalette, Marina
Other Authors: Lyon
Language:fr
Published: 2018
Subjects:
Electronique
Microélectronique
Mémoires en microélectronique
Filière CMOS
Mémoires résistives OxRRAM
Mémoires resistives complémentaires - CRS
Intégration monolithique BEOL - back end of line
Caractérisation électrique en mode quasi statique - QS
Caractérisation électrique en mode pulsé
Architecture de mémoire haute densité
Configuration 1T1R
Procédé nanodamascène
Electronics
Microelectronics
Memory on Silicon
Oxide based resistive memories OxRRAM
Complementary resistive switching devices - CRS
Cmos beol
3D monolithic integration
DC and pulsed electrical characterization
High density integration
1T1R configuration
621.397 072
Online Access:http://www.theses.fr/2018LYSEI037/document

Internet

http://www.theses.fr/2018LYSEI037/document

Similar Items