Contribution à l’étude de la robustesse des MOSFET-SiC haute tension : Dérive de la tension de seuil et tenue aux courts-circuits

Contribution à l’étude de la robustesse des MOSFET-SiC haute tension : Dérive de la tension de seuil et tenue aux courts-circuits

Ce manuscrit est une contribution à l’étude de la fiabilité et de la robustesse des composants MOSFET sur carbure de silicium, matériau semi-conducteur grand gap qui possède des caractéristiques bien meilleures que le silicium. Ces nouveaux interrupteurs de puissances permettent d’obtenir entre autr...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Molin, Quentin
Other Authors: Lyon
Language:fr
Published: 2018
Subjects:
Electronique de puissance
Interrupteur de puissance
Vieillissement
Fiabilité
High Temperature Gate Bias - HTGB
High Temperature Gate Switching - HTGS
Robustesse
Court-Cicuits
Court-Circuits répétitifs
Dérive
Tension de seuil
Oxyde
Instabilité
Modélisation
Pompage de charge trois terminaux
C-V
Power Electronics
Power switches
MOSFET SiC
Ageing
Reliability
Short-Circuits
Repetitive short-Circuits
Threshold voltage
Oxide
Instability
Modelization
Protocols
Three terminals charge pumping
621.317 072
Online Access:http://www.theses.fr/2018LYSEI111

Internet

http://www.theses.fr/2018LYSEI111

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