Modélisation de la gravure profonde du silicium en plasmas fluorés : étude du procédé BOSCH : simulations et calibration expérimentale

Dans le cadre d’une collaboration entre l’Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN) et STMicroelectronics Tours, cette étude vise à développer un simulateur de gravure du silicium par procédé Bosch. Actuellement utilisé dans le domaine de la microélectronique pour la gravure de vias, le procédé Bosch...

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Bibliographic Details
Main Author: Le Dain, Guillaume
Other Authors: Nantes
Language:fr
Published: 2018
Subjects:
Online Access:http://www.theses.fr/2018NANT4048/document