Modélisation de la gravure profonde du silicium en plasmas fluorés : étude du procédé BOSCH : simulations et calibration expérimentale
Dans le cadre d’une collaboration entre l’Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN) et STMicroelectronics Tours, cette étude vise à développer un simulateur de gravure du silicium par procédé Bosch. Actuellement utilisé dans le domaine de la microélectronique pour la gravure de vias, le procédé Bosch...
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Language: | fr |
Published: |
2018
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Online Access: | http://www.theses.fr/2018NANT4048/document |