Etude et modélisation des dégradations des composants de puissance grand gap soumis à des contraintes thermiques et électriques
Ce travail vise à étudier la robustesse de trois générations de MOSFET SiC de puissance (Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field E_ect Transistors). Plusieurs approches sont suivies : la caractérisation électrique, la modélisation physique, les tests de vieillissement et la simulation physiq...
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| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018NORMR083/document |