X-ray photoelectron spectroscopy investigations of resistive switching in Te-based CBRAMs
Les mémoires à pont conducteur (CBRAM) sont une option actuellement étudiée pour la prochaine génération de mémoires non volatiles. Le stockage des données est basé sur la commutation de la résistivité entre les états de résistance élevée (HRS) et faible (LRS). Sous polarisation électrique, on suppo...
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| Language: | en |
| Published: |
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2018SACLS285/document |