Growth of InAs and Bi1-xSBx nanowires on silicon for nanoelectronics and topological qubits by molecular beam epitaxy

Growth of InAs and Bi1-xSBx nanowires on silicon for nanoelectronics and topological qubits by molecular beam epitaxy

Grâce à leur propriétés uniques, les nanofils d'InAs et de Bi1-xSbx sont important pour les domaines de la nanoélectronique et de l'informatique quantique. Alors que la mobilité électronique de l'InAs est intéressante pour les nanoélectroniques; l'aspect isolant topologique du Bi...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Dhungana, Daya Sagar
Other Authors: Toulouse 3
Language:en
Published: 2018
Subjects:
EJM
Nanofils
InAs
BiSb
Autocatalysée
Compatibilité CMOS
Isolant topologique 3D
MBE
Nanowires
Self-catalyzed
CMOS compatible
3D topological insulator
Online Access:http://www.theses.fr/2018TOU30150/document

Internet

http://www.theses.fr/2018TOU30150/document

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