Fabrication et caractérisation de transistor réalisée à basse température pour l'intégration 3D séquentielle
La réduction des dimensions des dispositifs MOSFET devient de plus en plus complexe a réalisé, et les nouvelles technologies MOSFET se confrontent à de fortes difficultés. Pour surmonter ce problème, une nouvelle technique, appelée intégration 3D VLSI, est étudiée : remplacer la structure plane conv...
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| Language: | fr |
| Published: |
2019
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2019GREAT008/document |