Surface and interface contributions to III-V/Si hetero-epitaxial growth : Theory and Experiments
L’objectif de cette thèse est d'étudier les propriétés thermodynamiques et clarifier les toutes premières étapes de la croissance hétérogène de GaP sur Si (désaccord de maille de 0,3 %) pour les applications en photonique et dans le domaine de l’énergie. Tout d’abord, les énergies absolues de s...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2019
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2019ISAR0001/document |