Croissance sélective et caractérisation de nanostructures de matériaux III-V élaborées par épitaxie par jets moléculaires
Que ce soit pour la fabrication de transistors ultimes fonctionnant à haute fréquence et faible consommation d’énergie ou pour celle de composants quantiques exploitant le transport balistique d’électrons, l’élaboration de nanostructures de semiconducteurs III-V à faible masse effective électronique...
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| Language: | fr |
| Published: |
2019
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2019LIL1I067/document |