Contribution à la modélisation de transistors GaN et à la conception d’architectures innovantes d’amplificateurs de puissance à rendement amélioré pour modules d’émission-réception aéroportés
Les transistors à base de nitrure de gallium (GaN) ont, de par leurs propriétés physiques, des performances inégalables par les technologies classiques à base de silicium pour l’amplification de puissance hyperfréquence. Cependant, cette technologie souffre d’effets mémoires basses fréquences inhére...
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| Language: | fr |
| Published: |
2019
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2019LIMO0019/document |