Integration of poly-Si/SiOx contacts in silicon solar cells : Optimization and understanding of conduction and passivation properties
Dans le contexte des cellules photovoltaïques (PV) à base de silicium cristallin (c-Si), le développement de structures de contacts dits « passivants », qui permettent de limiter les pertes par recombinaisons des porteurs de charge à l’interface entre le métal et le c-Si, est un des principaux levie...
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Language: | en |
Published: |
2019
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Online Access: | http://www.theses.fr/2019SACLS443 |