Effets des recuits ultra-rapides (10^5 K/s) sur la formation des siliciures métalliques en phase solide
La synthèse de siliciures métalliques sous la forme de films ultra-minces demeure un enjeu majeur en technologie CMOS. Le contrôle du budget thermique, afin de limiter la diffusion des dopants, est essentiel. Des techniques de recuit ultra-rapide sont alors couramment utilisées. Dans ce contexte, la...
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| Language: | fr |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://hdl.handle.net/1866/13708 |